运动控制对于变频器而言代表了什么？

运动控制具有明显的时期特性，它是多种高新技术的综合，用来将工业自动化、办公自动化和家庭自动化推向更高阶段。目前的运动控制主要由变频器（Variable-frequency Drive，VFD）、电动机、控制器三局部组成。

VFD局部 VFD的中心是电力电子器件及控制方式。

1）电力电子器件电力电子器件就是在电路中起通断作用并完成各种变流的器件，VFD就是这种变流的安装，因而它是随着逆变器件的开展而开展，逆变器件的好坏就要看它的通断才能，接受通断的电流和额定电压；在通断过程中损耗的大小如饱和压降和开关损耗就决议了VFD的效率和体积大小；开关损耗与开关频率有关；开关频率与噪声有关，而且与输出电压、电流波形有关。

就是说电力电子器件要朝着电压高、电流大、开关频率高、导通压降小的方向开展。晶闸管是半控器件，属于第yi代产品，但调制频率低、控制复杂、效率低、容量大、电压高、历史长久，不论是用作整流还是用作逆变，都是比拟成熟的。

全控器件GTO晶闸管和BJT，不论是组装直流斩波器还是组装VFD，GTO晶闸管在电力机车上的应用具有垄断性。这也是我国“八五”期间组织攻关的严重科研课题。但是将GTO晶闸管VFD用于其他中央，争议较大，缘由是GTO晶闸管的关断电流增益太小，过电流维护比拟艰难，调制频率低。用BJT组装的直流斩波器和PWMVFD非常盛行，但输出电压不超越460V，容量不超越400kW。BJT是电流驱动，功耗大，调制频率也不高，噪声还大，不如MOSFET的电压驱动简单、牢靠。但后者容量更小，输出电压也更低，在市场上有竞争力的产品并不多。

在运动控制中，新一代的电力电子器件是IGBT和MCT：前者是MOS驱动BJT，优点是容量和电压都超越了BJT，有取而代之的趋向；后者MOS驱动晶闸管，理论上具有两者的优点。这两种新型器件都有成熟的产品，IGBT已开展到第四代，而且目前国外正在将微电子的消费工艺向电力电子转移，于是产生了专用集成电路（SPIC）。把IGBT的驱动电路和维护电路复合在一同的智能器件叫IPM，还有把开关电源复合在一同的IPM，这样使VFD愈加牢靠，曾经成为调速的主导产品，将取代直流调速，21世纪将是交流调速时期。

2）控制方法VFD采用不同的控制方法，具有不同的速度调节性能、特性和用途。控制方法大致分为开环和闭环控制。开环控制包括U/f(电压和频率)成正比控制方法；闭环包括转差频率控制和各种矢量控制。从发展历史来看，也是从开环到闭环。通常的矢量控制可以与DC电机的电枢电流控制相媲美。现在交流电机参数可以直接停止直接扭矩控制，方便准确，控制精度高。